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光刻掩膜版的原理,簡單來說,就是利用光學-化學反應原理和化學以及物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,從而形成圖形;它的原理類似于照相機成相。
半導體技術發(fā)展到今天,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級,并且從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、激光、微離子束、X射線等新技術;使用的波長從4000埃擴展至0.1埃數(shù)量級的范圍。光刻掩膜版的技術已經(jīng)成為了一種精密的微細加工技術。
微米級別的電極掩膜版的制備工藝
光刻工藝對掩膜版的質(zhì)量要求
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